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  • 型号: RUF025N02TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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RUF025N02TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RUF025N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUF025N02TL价格参考。ROHM SemiconductorRUF025N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3。您可以下载RUF025N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUF025N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUF025N02TL-

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产品型号

RUF025N02TL

Pd-PowerDissipation

0.8 W

Pd-功率耗散

800 mW

Qg-GateCharge

5 nC

Qg-栅极电荷

5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

39 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

15 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

370pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

54 毫欧 @ 2.5A,4.5V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TUMT3

其它名称

RUF025N02TLDKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

800mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

39 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

封装/箱体

TUMT-3

工具箱

/product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.6 S

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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