ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > RUF025N02TL
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
RUF025N02TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RUF025N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUF025N02TL价格参考。ROHM SemiconductorRUF025N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3。您可以下载RUF025N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUF025N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUF025N02TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RUF025N02TL |
Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
Qg-GateCharge | 5 nC |
Qg-栅极电荷 | 5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 54 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TUMT3 |
其它名称 | RUF025N02TLDKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 39 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | TUMT-3 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3.6 S |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 2.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |