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RUF020N02TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RUF020N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUF020N02TL价格参考。ROHM SemiconductorRUF020N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3。您可以下载RUF020N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUF020N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
产品图片 | |
产品型号 | RUF020N02TL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 2A,4.5V |
供应商器件封装 | TUMT3 |
其它名称 | RUF020N02TLDKR |
功率-最大值 | 320mW |
包装 | * |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |