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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RUE002N02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUE002N02TL价格参考¥0.66-¥1.28。ROHM SemiconductorRUE002N02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3。您可以下载RUE002N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUE002N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RUE002N02TL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景广泛,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。以下是该型号的一些具体应用场景: 1. 电源管理 RUE002N02TL适用于各种电源管理电路,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器。它具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高电源效率并减少热量生成。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,进一步提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,RUE002N02TL可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,适合驱动步进电机、直流电机和无刷直流电机等。其低导通电阻也有助于降低电机运行时的发热,延长设备寿命。 3. 电池管理系统 该MOSFET可用于电池管理系统的充放电控制电路中,确保电池在充电和放电过程中安全稳定。它可以作为电池保护电路中的关键元件,防止过流、过压和短路等情况的发生。RUE002N02TL的低导通电阻有助于减少电池能量损耗,提高电池使用效率。 4. 工业自动化 在工业自动化领域,RUE002N02TL可用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器。它能够承受工业环境中的严苛条件,如高温、高湿度和振动等。其快速响应时间和低开关损耗使其成为工业控制系统中的理想选择。 5. 消费电子产品 RUE002N02TL也适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。它的小型化封装和低功耗特性使其非常适合便携式设备,能够有效延长电池续航时间并减小设备体积。 总结 RUE002N02TL凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,在电源管理、电机驱动、电池管理、工业自动化以及消费电子产品等多个领域有着广泛的应用。它的高效能和紧凑设计使其成为现代电力电子系统中的重要组件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUE002N02TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RUE002N02TL |
Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | RUE002N02TLDKR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EMT3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
配置 | Single |