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RTR030P02TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR030P02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR030P02TL价格参考。ROHM SemiconductorRTR030P02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta) TSMT3。您可以下载RTR030P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTR030P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR030P02TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RTR030P02TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RTR030P02TLDKR |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |