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  • 型号: RTR020P02TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RTR020P02TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RTR020P02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR020P02TL价格参考¥0.86-¥1.40。ROHM SemiconductorRTR020P02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 1W(Ta) TSMT3。您可以下载RTR020P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTR020P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RTR020P02TL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于低压和高效能的应用场景。该型号具有低导通电阻(Rds(on))的特点,适用于需要高效率和低功耗的电路设计。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - RTR020P02TL常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。
   - 在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等,该MOSFET可以有效延长电池寿命。

2. 电机驱动:
   - 该MOSFET适用于小型电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)控制、步进电机驱动等。它能够快速切换并提供稳定的电流输出,确保电机运行平稳且高效。
   - 在智能家居设备中,如智能锁、自动窗帘等,RTR020P02TL可以用于控制电机的启停和速度调节。

3. 负载开关:
   - RTR020P02TL可用于负载开关应用,实现对不同负载的精确控制。例如,在消费电子设备中,它可以用于管理USB端口的电源分配,确保设备在插入或拔出时不会产生电压波动。
   - 在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于控制车灯、雨刷、座椅加热等负载的开关操作。

4. 信号切换:
   - 在通信设备和音频处理电路中,RTR020P02TL可以用作信号切换元件,实现不同信号路径的选择。其快速开关特性和低寄生电容有助于保持信号的完整性和稳定性。

5. 保护电路:
   - 该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电源,防止损坏下游电路。

总之,RTR020P02TL凭借其优异的性能参数和可靠性,广泛应用于各种需要高效能、低功耗和快速响应的电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

+/- 2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

http://www.rohm.com/web/global/products/-/product/RTR020P02

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR020P02TL-

数据手册

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产品型号

RTR020P02TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

13 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

430pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

135 毫欧 @ 2A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RTR020P02TLCT

典型关闭延迟时间

38 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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