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RTR020P02TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR020P02TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR020P02TL价格参考¥0.86-¥1.40。ROHM SemiconductorRTR020P02TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 1W(Ta) TSMT3。您可以下载RTR020P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTR020P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RTR020P02TL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于低压和高效能的应用场景。该型号具有低导通电阻(Rds(on))的特点,适用于需要高效率和低功耗的电路设计。 应用场景: 1. 电源管理: - RTR020P02TL常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。 - 在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等,该MOSFET可以有效延长电池寿命。 2. 电机驱动: - 该MOSFET适用于小型电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)控制、步进电机驱动等。它能够快速切换并提供稳定的电流输出,确保电机运行平稳且高效。 - 在智能家居设备中,如智能锁、自动窗帘等,RTR020P02TL可以用于控制电机的启停和速度调节。 3. 负载开关: - RTR020P02TL可用于负载开关应用,实现对不同负载的精确控制。例如,在消费电子设备中,它可以用于管理USB端口的电源分配,确保设备在插入或拔出时不会产生电压波动。 - 在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于控制车灯、雨刷、座椅加热等负载的开关操作。 4. 信号切换: - 在通信设备和音频处理电路中,RTR020P02TL可以用作信号切换元件,实现不同信号路径的选择。其快速开关特性和低寄生电容有助于保持信号的完整性和稳定性。 5. 保护电路: - 该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电源,防止损坏下游电路。 总之,RTR020P02TL凭借其优异的性能参数和可靠性,广泛应用于各种需要高效能、低功耗和快速响应的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | http://www.rohm.com/web/global/products/-/product/RTR020P02 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR020P02TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RTR020P02TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 135 毫欧 @ 2A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RTR020P02TLCT |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |