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  • 型号: RTQ035N03TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RTQ035N03TR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RTQ035N03TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTQ035N03TR价格参考。ROHM SemiconductorRTQ035N03TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)。您可以下载RTQ035N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTQ035N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RTQ035N03TR 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 电源管理:  
   RTQ035N03TR 适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少功率损耗,适合需要高效能转换的设备。

2. 电机驱动:  
   在小型电机控制中,该 MOSFET 可用作开关元件,用于启动、停止或调速操作。例如,它可用于家用电器(如风扇、吸尘器)或工业自动化设备中的直流电机驱动。

3. 负载开关:  
   作为负载开关,RTQ035N03TR 能够快速开启或切断电路中的电流流动,广泛应用于消费电子产品(如智能手机、平板电脑)以及便携式设备中。

4. 电池保护与管理:  
   在锂电池组或其他可充电电池系统中,这款 MOSFET 可以帮助实现过流保护、短路保护及充放电控制等功能,确保电池安全运行。

5. 信号切换:  
   在通信设备或音频处理单元中,RTQ035N03TR 可充当信号路径选择器,用于隔离或连接不同的信号源。

6. 汽车电子:  
   针对汽车内部的电子控制系统,比如车窗升降器、雨刷器、座椅调节装置等,该器件凭借其可靠性与耐高温性能,成为理想的选择之一。

综上所述,RTQ035N03TR 凭借其出色的电气特性和稳定性,在众多需要高效功率转换及精确控制的应用场合中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTQ035N03TR-

数据手册

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产品型号

RTQ035N03TR

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

38 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

38 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

12 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

285pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

54 毫欧 @ 3.5A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT6

其它名称

RTQ035N03DKR

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

1.25W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

38 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

TSMT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

3.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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