ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > RT1A050ZPTR
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
RT1A050ZPTR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RT1A050ZPTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RT1A050ZPTR价格参考。ROHM SemiconductorRT1A050ZPTR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST。您可以下载RT1A050ZPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RT1A050ZPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RT1A050ZPTR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 8-TSST |
其它名称 | RT1A050ZPCT |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |