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RSR030N06TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSR030N06TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR030N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSR030N06TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3。您可以下载RSR030N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSR030N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSR030N06TL是由Rohm Semiconductor生产的单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于增强型N沟道功率MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点,适用于多种应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - RSR030N06TL常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 - 在电池充电电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制充电电流的通断,确保电池安全充电。 2. 电机驱动: - 该MOSFET适用于小型直流电机和步进电机的驱动电路。通过PWM(脉宽调制)控制,可以实现电机的速度调节和方向控制。 - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,RSR030N06TL可以作为电机驱动电路中的关键元件,提供高效可靠的开关性能。 3. 负载开关: - 在需要频繁切换负载的应用中,如汽车电子系统、工业控制系统和消费电子产品中,RSR030N06TL可以用作负载开关。它能够快速响应,确保负载在不同工作模式下的稳定运行。 - 在便携式设备中,该MOSFET还可以用于电源路径管理,实现电源的无缝切换,延长电池寿命。 4. 保护电路: - RSR030N06TL可用于过流保护、短路保护和过温保护电路中。其内置的热关断功能可以在温度过高时自动关闭,防止器件损坏。 - 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET可以作为保护元件,确保系统在异常情况下安全运行。 5. 信号放大与缓冲: - 在一些信号处理电路中,RSR030N06TL可以用作信号放大或缓冲元件,特别是在需要高速开关和低噪声的应用中,如通信设备、传感器接口等。 总之,RSR030N06TL凭借其优异的电气特性,广泛应用于各类电力电子设备中,为高效、可靠的操作提供了保障。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR030N06TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RSR030N06TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 5 nC |
Qg-栅极电荷 | 5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RSR030N06TLCT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
配置 | Single |