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RSR030N06TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSR030N06TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR030N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSR030N06TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3。您可以下载RSR030N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSR030N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSR030N06TL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度,适用于多种电力电子应用场景,特别是在需要高效能和低损耗的场合中表现优异。 主要参数 - 最大漏源电压 (Vds):60V - 最大栅源电压 (Vgs):±20V - 最大连续漏极电流 (Id):30A(在 25°C 时) - 导通电阻 (Rds(on)):3.0mΩ(在 Vgs=10V 时) 应用场景 1. 电源管理 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter):RSR030N06TL 可用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件,其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 开关模式电源 (SMPS):该器件适合应用于各种开关模式电源中,如笔记本电脑适配器、LED 驱动器等,能够有效降低发热并提高整体效率。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,MOSFET 作为功率开关,控制电机绕组的电流流动。RSR030N06TL 的快速开关特性和低导通电阻使其成为 BLDC 电机驱动的理想选择。 - 步进电机驱动:用于步进电机驱动器中,提供精确的电流控制和高效的功率传输。 3. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车、电动工具及便携式设备的电池管理系统中,MOSFET 被用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行和高效能量管理。 4. 负载开关 - 在消费电子、工业自动化等领域,RSR030N06TL 可作为负载开关使用,实现对不同负载的快速通断控制,同时具备过流保护功能。 5. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换和稳定输出。 总之,RSR030N06TL 凭借其出色的电气特性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR030N06TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RSR030N06TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 5 nC |
Qg-栅极电荷 | 5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RSR030N06TLCT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
配置 | Single |