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  • 型号: RSR030N06TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RSR030N06TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSR030N06TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR030N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSR030N06TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 3A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3。您可以下载RSR030N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSR030N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RSR030N06TL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度,适用于多种电力电子应用场景,特别是在需要高效能和低损耗的场合中表现优异。

 主要参数
- 最大漏源电压 (Vds):60V
- 最大栅源电压 (Vgs):±20V
- 最大连续漏极电流 (Id):30A(在 25°C 时)
- 导通电阻 (Rds(on)):3.0mΩ(在 Vgs=10V 时)

 应用场景

1. 电源管理
   - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter):RSR030N06TL 可用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件,其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。
   - 开关模式电源 (SMPS):该器件适合应用于各种开关模式电源中,如笔记本电脑适配器、LED 驱动器等,能够有效降低发热并提高整体效率。

2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,MOSFET 作为功率开关,控制电机绕组的电流流动。RSR030N06TL 的快速开关特性和低导通电阻使其成为 BLDC 电机驱动的理想选择。
   - 步进电机驱动:用于步进电机驱动器中,提供精确的电流控制和高效的功率传输。

3. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电动汽车、电动工具及便携式设备的电池管理系统中,MOSFET 被用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行和高效能量管理。

4. 负载开关
   - 在消费电子、工业自动化等领域,RSR030N06TL 可作为负载开关使用,实现对不同负载的快速通断控制,同时具备过流保护功能。

5. 逆变器
   - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换和稳定输出。

总之,RSR030N06TL 凭借其出色的电气特性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR030N06TL-

数据手册

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产品型号

RSR030N06TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

5 nC

Qg-栅极电荷

5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

380pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RSR030N06TLCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TSMT-3

工具箱

/product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

配置

Single

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