Datasheet下载- 型号： RSR020P05TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSR020P05TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR020P05TL价格参考。ROHM SemiconductorRSR020P05TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSR020P05TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSR020P05TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSR020P05TL是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。该型号适用于多种电子应用领域，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： RSR020P05TL广泛应用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）、降压或升压电路中，作为功率开关使用。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 负载开关： 在便携式设备、消费电子产品中，该MOSFET可用作负载开关，控制电路的通断状态，实现节能和保护功能。 3. 电机驱动： 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，RSR020P05TL可作为充放电控制开关，确保电池的安全运行。 5. 信号切换： 用于音频、视频或其他信号切换电路中，提供低失真和高可靠性的信号传输路径。 6. 汽车电子： 在车载电子设备中，如车灯控制、座椅调节系统等，该MOSFET能够承受较高的电流和电压波动。 7. 工业自动化： 在工业控制领域，可用于继电器替代、传感器接口以及各种开关控制电路中。 总之，RSR020P05TL凭借其出色的电气特性和稳定性，非常适合需要高效功率转换和精确控制的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3MOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN TSMT T/R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR020P05TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSR020P05TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 45 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 2A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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