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  • 型号: RSQ030P03TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ030P03TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ030P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ030P03TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSQ030P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSQ030P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

+/- 3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSQ030P03TR-

数据手册

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产品型号

RSQ030P03TR

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 3A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT6

其它名称

RSQ030P03DKR

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

1.25W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

TSMT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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