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  • 型号: RSH070P05TB1
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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RSH070P05TB1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSH070P05TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSH070P05TB1价格参考。ROHM SemiconductorRSH070P05TB1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 45V 7A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP。您可以下载RSH070P05TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSH070P05TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 45V 7A SOP8MOSFET Pch -45V -7A MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH070P05TB1-

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产品型号

RSH070P05TB1

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 45 V

Vds-漏源极击穿电压

- 45 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4100pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 7A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

RSH070P05TB1TR

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

45V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

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