ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RSD050N06TL
Datasheet下载- 型号： RSD050N06TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
RSD050N06TL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD050N06TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD050N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD050N06TL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3。您可以下载RSD050N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD050N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428MOSFET Nch 60V 5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSD050N06TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSD050N06TL |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 109 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | RSD050N06TLDKR |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-428 |
| 封装/箱体 | CPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
