ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RRQ045P03TR
Datasheet下载- 型号： RRQ045P03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
RRQ045P03TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRQ045P03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRQ045P03TR价格参考。ROHM SemiconductorRRQ045P03TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）。您可以下载RRQ045P03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRQ045P03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -4.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RRQ045P03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RRQ045P03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RRQ045P03CT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 配置 | Single |
