数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E090RPTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E090RPTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E090RPTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RP1E090RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RP1E090RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6MOSFET Pch -30V -9A MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RP1E090RPTR- |
数据手册 | |
产品型号 | RP1E090RPTR |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.9 毫欧 @ 9A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MPT6 |
其它名称 | RP1E090RPDKR |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | MPT-6 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |