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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2706JE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2706JE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2706JE(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN2706JE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN2706JE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRAN DUAL CE PNP ESV -50V -100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1379861&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2706JE(TE85L,F)- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2706JE |
产品型号 | RN2706JE(TE85L,F)RN2706JE(TE85L,F) |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | ESV |
其它名称 | RN2706JE(TE85LF)CT |
典型电阻器比率 | 0.1 |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-553 |
封装/箱体 | SMV-5 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 200 MHz (Typ) |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 200MHz |