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  • 型号: RN2427TE85LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN2427TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2427TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2427TE85LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN2427TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN2427TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2427

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2427TE85LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2422

产品型号

RN2427TE85LFRN2427TE85LF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

90 @ 100mA,1V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

S-Mini

典型电阻器比率

0.22

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TO-236MOD-3

峰值直流集电极电流

800 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

200 MHz

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

800mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

90

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

- 800 mA

频率-跃迁

200MHz

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