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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1602(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1602(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1602(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1602(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1602(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR NPN SM6 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1602 |
产品图片 | |
产品型号 | RN1602(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 10mA,5V |
供应商器件封装 | SM6 |
其它名称 | RN1602(TE85LF)CT |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 250MHz |