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  • 型号: RN1506(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1506(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1506(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1506(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1506(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1506(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRAN DUAL CE NPN SMV 50V 100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1376963&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1506(TE85L,F)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1506

产品型号

RN1506(TE85L,F)RN1506(TE85L,F)

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMV

其它名称

RN1506(TE85LF)TR

典型电阻器比率

0.1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

封装/箱体

SMV-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

250 MHz (Typ)

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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