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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1421 |
产品图片 | |
产品型号 | RN1422TE85LF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 65 @ 100mA,1V |
供应商器件封装 | S-Mini |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
频率-跃迁 | 300MHz |