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  • 型号: RN1114(T5L,F,T)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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RN1114(T5L,F,T)产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1114(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1114(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1114(T5L,F,T)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM。您可以下载RN1114(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1114(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN SSM

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

RN1114(T5L,F,T)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 10mA,5V

供应商器件封装

SSM

其它名称

RN1114(T5LFT)CT

功率-最大值

100mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75,SOT-416

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

频率-跃迁

250MHz

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