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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-115.1B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-115.1B价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-115.1B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.1V 500mW ±3% Surface Mount LLDS。您可以下载RLZTE-115.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-115.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RLZTE-115.1B是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括: 1. 电压稳压 RLZTE-115.1B的主要功能是提供稳定的电压输出。它可以在电路中用作参考电压源,确保电路中的某些部分在不同的负载条件下仍能保持恒定的电压水平。例如,在电源电路中,它可以用于稳定输出电压,防止因输入电压波动或负载变化而导致的电压不稳定。 2. 过压保护 齐纳二极管常用于保护敏感电子元件免受过压损坏。RLZTE-115.1B可以设置在一个特定的反向击穿电压(115.1V),当电路中的电压超过这个值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路不受损害。这种应用场景常见于传感器、微控制器和其他对电压敏感的设备中。 3. 信号箝位 在信号处理电路中,RLZTE-115.1B可以用作信号箝位器,限制信号的最大幅度。通过将信号的峰值限制在一个安全范围内,可以防止信号超出允许的工作范围,避免损坏接收端的器件。例如,在音频放大器或通信电路中,齐纳二极管可以用来防止信号过冲或欠冲。 4. 温度补偿 齐纳二极管的击穿电压会随着温度的变化而略有不同。RLZTE-115.1B可以与其他温度敏感元件配合使用,进行温度补偿,确保电路在不同环境温度下仍能保持稳定的性能。这在精密测量和控制电路中尤为重要。 5. 电源管理 在一些低功耗系统中,RLZTE-115.1B可以用于简单的电源管理电路,如电池供电设备。它可以帮助维持系统的最低工作电压,确保设备在电池电量下降时仍能正常运行。 总结 RLZTE-115.1B齐纳二极管适用于需要精确电压稳压、过压保护、信号箝位以及温度补偿的应用场景。其高击穿电压(115.1V)使其特别适合高压环境下的应用,如工业控制、汽车电子、电力系统等。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RLZTE-115.1B |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1.5V |
供应商器件封装 | LLDS |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±3% |
封装/外壳 | SOD-80C |
工作温度 | - |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |