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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-1139D由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-1139D价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-1139D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RLZTE-1139D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-1139D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RLZTE-1139D是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - RLZTE-1139D可以用于电路中的电压稳压功能。通过设定一个稳定的反向击穿电压(齐纳电压),它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定,适用于电源电路中的参考电压生成。 2. 过电压保护 - 在电子设备中,RLZTE-1139D可用于防止瞬态过电压对敏感元件的损害。例如,在电源输入端或信号线路上,当电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续电路。 3. 信号电平转换 - 齐纳二极管可用来调整信号电平。在某些模拟电路或数字电路中,需要将输入信号限制在一个特定的电压范围内,RLZTE-1139D能够实现这一功能。 4. 基准电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,RLZTE-1139D可以用作精密基准电压源。它为运算放大器、比较器或其他需要稳定电压的器件提供可靠的参考电压。 5. ESD防护 - 在一些接口电路中,RLZTE-1139D可以用来吸收静电放电(ESD)产生的高电压脉冲,从而保护芯片和其他关键组件免受损坏。 6. 音频和射频电路中的应用 - 在音频放大器或射频电路中,齐纳二极管可用于钳位信号,避免因过高电压导致失真或器件失效。 总结 RLZTE-1139D凭借其稳定的齐纳电压和良好的性能参数,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。其具体应用场景取决于电路设计需求,但核心作用始终围绕电压稳压、保护和信号处理展开。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RLZTE-1139D |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 30V |
供应商器件封装 | LLDS |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±3% |
封装/外壳 | SOD-80C |
工作温度 | - |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36.3V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 85 欧姆 |