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  • 型号: RLZTE-1139D
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-1139D由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-1139D价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-1139D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RLZTE-1139D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-1139D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RLZTE-1139D是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电压稳压
   - RLZTE-1139D可以用于电路中的电压稳压功能。通过设定一个稳定的反向击穿电压(齐纳电压),它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定,适用于电源电路中的参考电压生成。

 2. 过电压保护
   - 在电子设备中,RLZTE-1139D可用于防止瞬态过电压对敏感元件的损害。例如,在电源输入端或信号线路上,当电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续电路。

 3. 信号电平转换
   - 齐纳二极管可用来调整信号电平。在某些模拟电路或数字电路中,需要将输入信号限制在一个特定的电压范围内,RLZTE-1139D能够实现这一功能。

 4. 基准电压源
   - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,RLZTE-1139D可以用作精密基准电压源。它为运算放大器、比较器或其他需要稳定电压的器件提供可靠的参考电压。

 5. ESD防护
   - 在一些接口电路中,RLZTE-1139D可以用来吸收静电放电(ESD)产生的高电压脉冲,从而保护芯片和其他关键组件免受损坏。

 6. 音频和射频电路中的应用
   - 在音频放大器或射频电路中,齐纳二极管可用于钳位信号,避免因过高电压导致失真或器件失效。

 总结
RLZTE-1139D凭借其稳定的齐纳电压和良好的性能参数,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。其具体应用场景取决于电路设计需求,但核心作用始终围绕电压稳压、保护和信号处理展开。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RLZTE-1139D

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 30V

供应商器件封装

LLDS

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±3%

封装/外壳

SOD-80C

工作温度

-

标准包装

2,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36.3V

阻抗(最大值)(Zzt)

85 欧姆

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