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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-1120D由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-1120D价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-1120D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RLZTE-1120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-1120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RLZTE-1120D是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。它主要应用于需要精确电压调节和保护电路免受过压影响的场景中。以下是RLZTE-1120D的主要应用场景: 1. 电压稳压 - RLZTE-1120D可用于电源电路中,为敏感电子元件提供稳定的参考电压。例如,在低功耗设备或传感器电路中,齐纳二极管可以确保输出电压保持恒定,即使输入电压波动。 2. 过压保护 - 在信号线路或电源输入端,RLZTE-1120D可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将多余电压泄放到地,从而保护后续电路不受损坏。 3. 信号电平调整 - 在通信或音频电路中,RLZTE-1120D可以用于调整信号电平,确保信号幅度在允许范围内。例如,它可以限制输入信号的最大值,避免放大器或其他组件因过载而失真。 4. 温度补偿电路 - 齐纳二极管常用于与晶体管或运算放大器配合设计的温度补偿电路中。RLZTE-1120D的稳定齐纳电压特性可以帮助抵消其他元件因温度变化引起的误差。 5. 基准电压源 - RLZTE-1120D可用作精密基准电压源,为模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)或其他需要高精度电压参考的电路提供支持。 6. 浪涌抑制 - 在工业控制或汽车电子系统中,RLZTE-1120D可以用来抑制瞬态电压浪涌,保护敏感设备免受雷击或开关噪声的影响。 7. 电池充电保护 - 在便携式设备的电池充电电路中,RLZTE-1120D可以监测电池电压,并在达到设定阈值时触发保护机制,防止过充。 总结 RLZTE-1120D凭借其稳定的齐纳电压特性、紧凑的封装形式和高可靠性,适用于各种消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子领域。选择合适的外围电路设计,可以充分发挥其性能优势,满足不同应用需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RLZTE-1120D |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 15V |
供应商器件封装 | LLDS |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±3% |
封装/外壳 | SOD-80C |
工作温度 | - |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 19.1V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |