ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > RJK0851DPB-00#J5
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RJK0851DPB-00#J5由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK0851DPB-00#J5价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK0851DPB-00#J5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 20A(Ta) 45W(Tc) LFPAK。您可以下载RJK0851DPB-00#J5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RJK0851DPB-00#J5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America生产的RJK0851DPB-00#J5是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备中。该型号的MOSFET属于N沟道增强型,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - RJK0851DPB-00#J5常用于DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器中。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电源效率,特别适合于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理系统。 2. 电机控制: - 在无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制系统中,该MOSFET可以作为驱动器的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性能够实现精确的电流控制,提高系统的响应速度和稳定性。 3. 负载开关: - 该器件可用于设计负载开关电路,通过控制MOSFET的导通与关断来管理不同负载之间的电源分配。它能够在短时间内完成开关动作,确保系统在不同工作模式下稳定运行,同时减少功耗。 4. 电池保护: - 在电池管理系统(BMS)中,RJK0851DPB-00#J5可用于防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少电池内阻,延长电池寿命,并提供更高的安全性。 5. 通信设备: - 该MOSFET还适用于通信基础设施中的信号处理和功率放大电路,如基站、路由器等设备。其出色的开关性能和可靠性能够满足高速数据传输的需求,确保通信系统的稳定性和高效性。 6. 工业自动化: - 在工业自动化领域,该MOSFET可用于各种传感器、执行器和控制器中,实现对生产线上的设备进行精确控制。其坚固耐用的设计能够适应恶劣的工作环境,保证长时间稳定运行。 总之,RJK0851DPB-00#J5凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多高性能电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJK0851DPB-00#J5 |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK |
其它名称 | RJK0851DPB-00#J5DKR |
功率-最大值 | 45W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta) |