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Datasheet下载- 型号： RJH60F3DPQ-A0#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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RJH60F3DPQ-A0#T0产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60F3DPQ-A0#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60F3DPQ-A0#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60F3DPQ-A0#T0封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 沟道 600V 40A 178.5W 通孔 TO-247A。您可以下载RJH60F3DPQ-A0#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60F3DPQ-A0#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 44ns/65ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60F3DPQ-A0#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.82V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-247A |
| 其它名称 | RJH60F3DPQA0T0 |
| 功率-最大值 | 178.5W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 90ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 输入类型 | 标准 |
