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RHP020N06T100产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RHP020N06T100由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RHP020N06T100价格参考¥1.94-¥2.84。ROHM SemiconductorRHP020N06T100封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3。您可以下载RHP020N06T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RHP020N06T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RHP020N06T100是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。 应用场景: 1. 电源管理: - RHP020N06T100常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关元件。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。 - 该MOSFET也适用于DC-DC转换器,如降压、升压或升降压转换器,能够有效控制电流流动,确保稳定输出电压。 2. 电机驱动: - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,RHP020N06T100可以用作功率级开关,实现对电机绕组的精确控制。 - 它还可以用于H桥电路,实现电机的正反转控制和调速功能。 3. 电池管理系统(BMS): - 在锂电池和其他可充电电池的保护电路中,RHP020N06T100可以作为充放电路径的开关,防止过充、过放及短路等异常情况。 - 其低导通电阻特性有助于降低电池内阻,延长电池寿命。 4. 工业自动化: - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器,RHP020N06T100可用于信号隔离和功率放大,确保系统的稳定性和可靠性。 - 它还适用于各种传感器接口电路,提供快速响应和高精度控制。 5. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,RHP020N06T100可用于电源管理和负载切换,确保设备在不同工作模式下的高效运行。 - 它也适用于USB充电器、快充适配器等产品,提供快速且稳定的充电体验。 6. 汽车电子: - 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,RHP020N06T100可用于车载充电器(OBC)、逆变器和DC-DC转换器等关键部件,确保高效的能量转换和传输。 - 它还适用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向(EPS)等系统,提供可靠的电力控制。 总之,RHP020N06T100凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89MOSFET N-CH 60V 200MA |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RHP020N06T100- |
数据手册 | |
产品型号 | RHP020N06T100 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 2A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MPT3 |
其它名称 | RHP020N06T100CT |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 240 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | MPT-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 2 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |