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  • 型号: RHP020N06T100
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RHP020N06T100产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RHP020N06T100由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RHP020N06T100价格参考¥1.94-¥2.84。ROHM SemiconductorRHP020N06T100封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3。您可以下载RHP020N06T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RHP020N06T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的RHP020N06T100是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - RHP020N06T100常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关元件。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。
   - 该MOSFET也适用于DC-DC转换器,如降压、升压或升降压转换器,能够有效控制电流流动,确保稳定输出电压。

2. 电机驱动:
   - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,RHP020N06T100可以用作功率级开关,实现对电机绕组的精确控制。
   - 它还可以用于H桥电路,实现电机的正反转控制和调速功能。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 在锂电池和其他可充电电池的保护电路中,RHP020N06T100可以作为充放电路径的开关,防止过充、过放及短路等异常情况。
   - 其低导通电阻特性有助于降低电池内阻,延长电池寿命。

4. 工业自动化:
   - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器,RHP020N06T100可用于信号隔离和功率放大,确保系统的稳定性和可靠性。
   - 它还适用于各种传感器接口电路,提供快速响应和高精度控制。

5. 消费电子产品:
   - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,RHP020N06T100可用于电源管理和负载切换,确保设备在不同工作模式下的高效运行。
   - 它也适用于USB充电器、快充适配器等产品,提供快速且稳定的充电体验。

6. 汽车电子:
   - 在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,RHP020N06T100可用于车载充电器(OBC)、逆变器和DC-DC转换器等关键部件,确保高效的能量转换和传输。
   - 它还适用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向(EPS)等系统,提供可靠的电力控制。

总之,RHP020N06T100凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89MOSFET N-CH 60V 200MA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RHP020N06T100-

数据手册

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产品型号

RHP020N06T100

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

240 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

240 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

140pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 2A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MPT3

其它名称

RHP020N06T100CT

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

240 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

MPT-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

2 A

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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