Datasheet下载- 型号： RGP02-18EHE3/54
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RGP02-18EHE3/54由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RGP02-18EHE3/54价格参考。VishayRGP02-18EHE3/54封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RGP02-18EHE3/54参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RGP02-18EHE3/54 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的型号 RGP02-18EHE3/54 是一款高性能的二极管，属于整流器 - 单类别。以下是其主要应用场景及特点： 应用场景： 1. 电源管理 该型号适用于各种开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器中，用于整流功能。它能够高效地将交流电转换为直流电，广泛应用于消费电子、工业设备和通信设备的电源模块。 2. 电机驱动与控制 在电机驱动电路中，RGP02-18EHE3/54 可用于整流和续流功能，支持高效的能量转换，特别适合家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）以及工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 太阳能逆变器 该二极管可用于太阳能光伏系统的逆变器中，帮助实现高效的能量传输和转换，确保系统在不同负载条件下的稳定运行。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，这款二极管可以应用于车载充电器、发电机整流桥以及其他需要高可靠性和高效能的汽车电子系统中。 5. 保护电路 RGP02-18EHE3/54 还可用于保护电路中，防止电流反向流动，从而保护敏感的电子元件免受损害。 特点： - 高效率：低正向电压降（VF），减少功率损耗，提高整体效率。 - 高可靠性：采用 Vishay 的先进制造工艺，确保产品在恶劣环境下的稳定性。 - 快速恢复特性：适合高频应用，具有较低的反向恢复时间（trr），减少开关损耗。 - 高浪涌能力：能够承受较高的瞬态电流，适用于需要强大抗浪涌能力的场合。 - 紧凑设计：节省空间的设计使其易于集成到各种紧凑型电子设备中。 总之，RGP02-18EHE3/54 凭借其出色的性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SWITCH 1.8KV 0.5A DO204AL整流器 1800 Volt 0.5A 300ns 20 Amp IFSM |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors RGP02-18EHE3/54SUPERECTIFIER® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RGP02-18EHE3/54RGP02-18EHE3/54 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 100mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1800V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Fast Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-204AL（DO-41） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 300ns |
| 反向电压 | 1800 V |
| 反向电流IR | 5 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-204AL |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工厂包装数量 | 5500 |
| 恢复时间 | 300 ns |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 20 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 5,500 |
| 正向电压下降 | 1.8 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 1800V（1.8kV） |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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