ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RFP70N06
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Datasheet下载- 型号： RFP70N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFP70N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFP70N06价格参考￥5.92-￥11.65。Fairchild SemiconductorRFP70N06封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB。您可以下载RFP70N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFP70N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFP70N06 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：RFP70N06 的低导通电阻 (典型值为 40 mΩ) 和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器中，作为主开关或同步整流器。 - 负载开关：在需要高效负载控制的场景中，RFP70N06 可用作负载开关以实现快速开启和关闭。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。 - H 桥电路：可以与其他 MOSFET 配合使用，构建 H 桥电路以实现电机的双向控制。 - 步进电机驱动：在低功率步进电机驱动器中，RFP70N06 可用作功率级元件。 3. 电池管理 - 电池保护电路：用于锂电池或铅酸电池管理系统中，防止过流、短路或反向连接。 - 充电电路：作为充电路径上的开关，控制充电电流流向。 - 电量监测：配合电流检测电路，用于监测电池放电状态。 4. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，RFP70N06 可用于切换不同的输入或输出信号。 - 传感器信号切换：用于工业自动化或物联网设备中，切换来自不同传感器的信号。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如电动座椅调节、车窗升降器等低功率应用。 - LED 照明驱动：用于驱动车内 LED 灯光系统，提供高效的电流控制。 - 启动保护：在汽车启动过程中，防止电流浪涌对敏感电路的损害。 6. 消费类电子产品 - 打印机/扫描仪：用于控制纸张传输电机或扫描头移动。 - 家用电器：如吸尘器、搅拌机等的小功率电机控制。 - 游戏设备：用于振动马达控制或电源管理。 7. 工业控制 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，RFP70N06 可以替代传统机械继电器。 - 电磁阀驱动：用于控制小型电磁阀的开启和关闭。 总结 RFP70N06 凭借其低导通电阻、高效率和可靠性，广泛应用于各种低功率到中功率的电子设备中，特别是在需要高效开关和电流控制的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 70A TO-220ABMOSFET N-Ch Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFP70N06- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFP70N06 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 137 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 156nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 70A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
| 系列 | RFP70N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFP70N06_NL |
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