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Datasheet下载- 型号： RFP50N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFP50N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFP50N06价格参考。Fairchild SemiconductorRFP50N06封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 131W（Tc） TO-220AB。您可以下载RFP50N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFP50N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFP50N06是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 RFP50N06常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和线性稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）使得在大电流应用中，功率损耗较小，提高了系统的效率。此外，它能够承受较高的电压（最大漏源极电压Vds为60V），适合用于低压至中压的电源系统。 2. 电机驱动 该器件广泛应用于小型电机驱动电路中，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机。由于其快速的开关特性和较低的导通电阻，RFP50N06可以有效减少电机启动和运行时的能耗，同时提供稳定的电流控制。它还可以用于H桥电路中，实现电机的正反转控制。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，RFP50N06可用于电池充放电保护电路。通过精确控制充电和放电路径中的电流，它可以防止过充、过放和短路等问题，确保电池的安全性和寿命。此外，它的低导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长续航时间。 4. 汽车电子 在汽车电子领域，RFP50N06可用于车载电源、电动座椅、车窗升降器等设备的控制电路中。它能够承受汽车电气系统中的瞬态电压波动，并且具备良好的抗干扰能力，确保车辆电子系统的稳定运行。 5. 消费电子产品 该器件也广泛应用于消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电接口和电源管理模块。它的小封装尺寸（TO-220）使其适合用于紧凑型设计，同时保持高效的性能。 总之，RFP50N06凭借其优异的电气特性，在电源管理、电机驱动、电池保护、汽车电子和消费电子产品等领域有着广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220ABMOSFET TO-220AB N-CH POWER |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFP50N06- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFP50N06 |
| Pd-PowerDissipation | 131 W |
| Pd-功率耗散 | 131 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 131W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | RFP50N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFP50N06_NL |
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