ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RFD3055LESM
Datasheet下载- 型号： RFD3055LESM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD3055LESM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD3055LESM价格参考。Fairchild SemiconductorRFD3055LESM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA。您可以下载RFD3055LESM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFD3055LESM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD3055LESM是ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子和信号处理领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：RFD3055LESM适用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。它能够在高频开关应用中提供出色的性能，确保系统稳定运行。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，RFD3055LESM可以作为功率开关使用，用于控制电机的启动、停止及调速。其快速开关速度和低导通电阻使其成为高效电机控制的理想选择。 3. 负载开关：该器件可用作负载开关，在需要频繁开启或关闭负载电流的应用中表现出色。例如，在便携式电子设备中，它可以有效管理电池供电路径，延长电池寿命。 4. 保护电路：RFD3055LESM可用于设计过流保护、短路保护等安全机制。通过检测异常电流并迅速切断电路，防止下游组件损坏，提升系统的可靠性和安全性。 5. 通信设备：在无线通信基站、路由器等设备中，RFD3055LESM可作为射频前端的功率放大器开关，实现高效能的信号传输与接收切换。 6. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和平板电视等产品内部的电源管理和音频放大电路中，RFD3055LESM也有所应用，帮助优化功耗和性能。 总之，RFD3055LESM凭借其优异的电气参数和可靠性，成为众多电力电子应用中的关键元件，尤其适合对效率和响应速度有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RFD3055LESM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 107 毫欧 @ 8A，5V |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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