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RFD14N05LSM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD14N05LSM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD14N05LSM价格参考¥2.23-¥2.23。Fairchild SemiconductorRFD14N05LSM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 50V 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA。您可以下载RFD14N05LSM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD14N05LSM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD14N05LSM 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 RFD14N05LSM 常用于电源管理系统中,尤其是在 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电路中。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效减少传导损耗,提高电源转换效率。此外,它还适用于线性稳压器中的旁路开关,确保系统在不同负载条件下稳定工作。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。由于其快速的开关特性和低导通电阻,能够有效控制电机的启动、停止和调速,同时减少能耗和发热。 3. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,RFD14N05LSM 可作为充放电保护开关使用。通过精确控制电流的通断,防止电池过充或过放,延长电池寿命并提高安全性。其低导通电阻有助于减少电池内部的电压降,提升整体性能。 4. 消费电子设备 该 MOSFET 广泛应用于各类消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用于充电电路、音频放大器、LED 驱动等场合,提供高效且可靠的开关功能,帮助设备实现更长的续航时间和更好的性能表现。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,RFD14N05LSM 可用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口、伺服控制系统等。它的高可靠性和快速响应能力使其能够在复杂的工业环境中稳定工作,确保系统的高效运行。 6. 通信设备 该 MOSFET 还可用于通信设备中的信号切换和电源管理模块。例如,在基站、路由器等设备中,它可以帮助实现高效的电源分配和信号隔离,确保通信链路的稳定性和可靠性。 总之,RFD14N05LSM 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、消费电子、工业自动化以及通信设备等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AAMOSFET TO-252AA N-Ch Power |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD14N05LSM- |
数据手册 | |
产品型号 | RFD14N05LSM |
Pd-PowerDissipation | 48 W |
Pd-功率耗散 | 48 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 24 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252AA |
典型关闭延迟时间 | 42 ns |
功率-最大值 | 48W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
系列 | RFD14N05 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | RFD14N05LSM_NL |