ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RE1C001UNTCL
Datasheet下载- 型号： RE1C001UNTCL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RE1C001UNTCL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RE1C001UNTCL价格参考￥0.37-￥0.68。ROHM SemiconductorRE1C001UNTCL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）。您可以下载RE1C001UNTCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RE1C001UNTCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RE1C001UNTCL是Rohm Semiconductor生产的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，广泛应用于各种电力电子设备中。 应用场景： 1. 电源管理： - RE1C001UNTCL适用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动电路中，如无人机、智能家居设备中的风扇或泵，RE1C001UNTCL可以用于驱动电机。其快速开关特性和低导通电阻能够有效降低能耗，延长电池寿命，并提高系统的响应速度。 3. 负载切换： - 该MOSFET可用于负载切换电路，如汽车电子系统中的继电器替代方案。它可以在不同工作模式下快速切换负载，提供可靠的电流路径，同时减少机械继电器的磨损和噪音。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等安全电路中，RE1C001UNTCL可以作为关键组件。通过检测异常电流并迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件，保障整个系统的安全性。 5. 信号放大与传输： - 在一些低功耗、高速信号处理场合，例如传感器信号调理电路，RE1C001UNTCL可以用作信号放大的开关元件，确保信号的准确传递和放大。 总之，RE1C001UNTCL凭借其优异的电气性能，在多种电力电子应用中表现出色，尤其适合对效率、可靠性和紧凑设计有较高要求的产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RE1C001UNTCL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.1pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | EMT3F |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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