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  • 型号: RDR005N25TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RDR005N25TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RDR005N25TL价格参考。ROHM SemiconductorRDR005N25TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RDR005N25TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RDR005N25TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 250V 500MA SC-96-3MOSFET Nch 250V 500mA MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

0.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RDR005N25TL-

数据手册

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产品型号

RDR005N25TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RDR005N25TLDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-96

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

500 mA

漏源极电压(Vdss)

250V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

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