数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RDR005N25TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RDR005N25TL价格参考。ROHM SemiconductorRDR005N25TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RDR005N25TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RDR005N25TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 500MA SC-96-3MOSFET Nch 250V 500mA MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
Id-连续漏极电流 | 0.5 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RDR005N25TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RDR005N25TL |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TSMT3 |
其它名称 | RDR005N25TLDKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-96 |
封装/箱体 | TSMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 250 V |
漏极连续电流 | 500 mA |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA (Ta) |