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Datasheet下载- 型号： RB715FT106
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RB715FT106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RB715FT106价格参考。ROHM SemiconductorRB715FT106封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 30mA Surface Mount SC-70, SOT-323。您可以下载RB715FT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RB715FT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RB715FT106是一款二极管整流器阵列，广泛应用于各种电源管理和电路保护场景。这款器件由多个高效率、低正向电压降的肖特基势垒二极管组成，具有出色的开关性能和可靠性。 应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：RB715FT106适用于各种DC-DC转换器中的同步整流应用，能够有效降低功耗并提高转换效率。 - 线性稳压器：在低压差线性稳压器（LDO）中，该器件可以用于旁路二极管，防止反向电流流动，确保输出电压稳定。 2. 电池管理系统： - 电池充电保护：在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池充电电路中，RB715FT106可以防止过充和过放，保护电池安全。 - 多节电池均衡：在多节电池串联的应用中，该器件可用于电池均衡电路，确保各节电池电压一致，延长电池寿命。 3. 通信设备： - 基站电源：在通信基站的电源模块中，RB715FT106可以用于整流和滤波，确保稳定的直流输出，支持高效能的通信设备运行。 - 数据传输保护：在高速数据传输接口（如USB、以太网等）中，该器件可以用于防止静电放电（ESD）和其他瞬态电压冲击，保护敏感的通信芯片。 4. 工业自动化： - 电机驱动：在工业控制系统的电机驱动电路中，RB715FT106可以用于续流二极管，吸收电机绕组产生的反电动势，防止损坏驱动电路。 - 传感器接口：在工业传感器接口电路中，该器件可以用于信号隔离和保护，确保传感器数据的准确性和稳定性。 5. 消费电子： - 音频设备：在音响设备和耳机放大器中，RB715FT106可以用于电源整流和保护，确保音频信号的纯净度和稳定性。 - 智能家居设备：在智能家电和物联网设备中，该器件可以用于电源管理和信号保护，提升设备的可靠性和安全性。 总之，RB715FT106凭借其高性能和可靠性，在各类电源管理和电路保护应用中表现出色，特别适合对效率和可靠性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA UMD3肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 30MA |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RB715FT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RB715FT106 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 370mV @ 1mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | UMD3 |
| 其它名称 | RB715FT106DKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度范围 | + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA at 10 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.37 V at 0.001 A |
| 正向连续电流 | 0.03 A |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 40V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 30mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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