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  • 型号: RB521ZS8A30TE61
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RB521ZS8A30TE61由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RB521ZS8A30TE61价格参考¥1.42-¥2.10。ROHM SemiconductorRB521ZS8A30TE61封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 4 Independent Schottky 30V 100mA Surface Mount 8-XFDFN。您可以下载RB521ZS8A30TE61参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RB521ZS8A30TE61 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 8HMD肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY SS30V 100MA 8PIN ARRAY

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RB521ZS8A30TE61-

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产品型号

RB521ZS8A30TE61

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

-

二极管类型

肖特基

二极管配置

4 个独立式

产品

Schottky Diodes

产品目录绘图

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

8-HMD(1.6x0.8)

其它名称

RB521ZS8A30TE61DKR

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-XFDFN

封装/箱体

HMD8

峰值反向电压

30 V

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大功率耗散

400 mW

最大反向漏泄电流

7 uA

最大浪涌电流

500 mA

标准包装

1

正向电压下降

0.37 V

正向连续电流

100 mA

热阻

-

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

100mA

速度

小信号 =< 200mA(Io),任意速度

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