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Datasheet下载- 型号： R8002ANX
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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R8002ANX产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R8002ANX由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R8002ANX价格参考。ROHM SemiconductorR8002ANX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 800V 2A（Tc） 35W（Tc） TO-220FM。您可以下载R8002ANX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R8002ANX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FMMOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor R8002ANX- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | R8002ANX |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 12.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 配置 | Single |
