【晶体管 - FET，MOSFET - 单_R6010ANX】封装/厂家_R6010ANX中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > R6010ANX

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： R6010ANX
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

R6010ANX产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供R6010ANX由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R6010ANX价格参考￥41.18-￥50.56。ROHM SemiconductorR6010ANX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM。您可以下载R6010ANX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R6010ANX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FMMOSFET Nch 600V 10A MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	ROHM Semiconductor
产品手册	http://www.rohm.com/products/discrete/transistor/mosfet/r6010anx/print.html
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor R6010ANX-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	R6010ANX
Pd-PowerDissipation	50 W
Pd-功率耗散	50 W
RdsOn-漏源导通电阻	0.56 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	-
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	-
产品目录绘图
产品种类	MOSFETs
供应商器件封装	TO-220FM
功率-最大值	50W
包装	散装
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	500
漏源极电压(Vdss)	600V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Ta）