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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供QST9TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QST9TR价格参考。ROHM SemiconductorQST9TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载QST9TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QST9TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 30V 1A 6TSMT两极晶体管 - BJT BIPOLAR PNP -30/-1A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor QST9TR- |
数据手册 | |
产品型号 | QST9TR |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 25mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 270 @ 100mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TSMT6 |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 320 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | TSMT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
最大功率耗散 | 1.25 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 680 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
集电极—射极饱和电压 | - 150 mV |
集电极连续电流 | - 1 A |
频率-跃迁 | 320MHz |