ICGOO在线商城 > QST8TR
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- 型号： QST8TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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QST8TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QST8TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供QST8TR价格参考以及ROHM SemiconductorQST8TR封装/规格参数等产品信息。 你可以下载QST8TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有QST8TR详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 12V 1.5A 6TSMT两极晶体管 - BJT BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor QST8TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QST8TR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 25mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 270 @ 200mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | QST8TRDKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 680 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 85 mV |
| 集电极连续电流 | - 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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