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QSB363GR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供QSB363GR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QSB363GR价格参考。Fairchild SemiconductorQSB363GR封装/规格:光学传感器 - 光电晶体管, Phototransistor 940nm Top View 2-SMD, Gull Wing。您可以下载QSB363GR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QSB363GR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER光电晶体管 Phototransistor Si Infrared |
产品分类 | |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 光电晶体管,Fairchild Semiconductor QSB363GR- |
数据手册 | |
产品型号 | QSB363GR |
上升时间 | 15 us |
下降时间 | 15 us |
产品种类 | 光电晶体管 |
其它名称 | QSB363GRDKR |
功率-最大值 | 75mW |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 2-SMD,鸥翼型 |
封装/箱体 | T-3/4 |
工厂包装数量 | 1000 |
最大功率耗散 | 75 mW |
最大工作温度 | + 85 C |
最大暗电流 | 100 nA |
最小工作温度 | - 25 C |
朝向 | 顶视图 |
标准包装 | 1 |
波长 | 940nm |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-暗(Id)(最大值) | 100nA |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2mA |
类型 | Photo Transistor |
系列 | QSB363 |
视角 | 24° |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |