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QS8M13TCR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供QS8M13TCR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS8M13TCR价格参考。ROHM SemiconductorQS8M13TCR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6A,5A 1.5W 表面贴装 TSMT8。您可以下载QS8M13TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QS8M13TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | QS8M13TCR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 6A,10V |
供应商器件封装 | TSMT8 |
其它名称 | QS8M13TCRDKR |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A,5A |