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  • 型号: QS6M3TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供QS6M3TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6M3TR价格参考。ROHM SemiconductorQS6M3TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载QS6M3TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QS6M3TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6M3TR-

数据手册

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产品型号

QS6M3TR

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

260 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

260 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V, - 20 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V, - 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

18 ns, 12 ns

下降时间

18 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

80pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT6

其它名称

QS6M3CT

典型关闭延迟时间

15 ns, 45 ns

功率-最大值

1.25W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

260 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

TSMT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V, - 20 V

漏极连续电流

1.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V,20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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