【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_QS6K21TR】封装/厂家_QS6K21TR中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： QS6K21TR
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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QS6K21TR产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供QS6K21TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6K21TR价格参考。ROHM SemiconductorQS6K21TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 45V 1A 1.25W 表面贴装 TSMT6（SC-95）。您可以下载QS6K21TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS6K21TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	1 A
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6K21TR-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	QS6K21TR
Pd-PowerDissipation	1.25 W
Pd-功率耗散	1.25 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	420 mOhms at 4.5 V
RdsOn-漏源导通电阻	420 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	45 V
Vds-漏源极击穿电压	45 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	8 ns
下降时间	8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	-
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TSMT6
其它名称	QS6K21TRDKR
典型关闭延迟时间	16 ns
功率-最大值	-
包装	Digi-Reel®
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装/箱体	TSMT-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	45V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1A
通道模式	Enhancement
配置	Dual