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  • 型号: QH08BZ600
  • 制造商: Power Integrations
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供QH08BZ600由Power Integrations设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QH08BZ600价格参考。Power IntegrationsQH08BZ600封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载QH08BZ600参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QH08BZ600 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE 600V 8A TO-263AB肖特基二极管与整流器 Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

Power Integrations

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Power Integrations QH08BZ600Qspeed™

数据手册

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产品型号

QH08BZ600

不同If时的电压-正向(Vf)

3.15V @ 8A

不同 Vr、F时的电容

25pF @ 10V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

250µA @ 600V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Silicon Carbide Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-263AB

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

11.1ns

商标

Power Integrations

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-263AB

峰值反向电压

600 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

工厂包装数量

800

恢复时间

11.1 ns

技术

SiC

最大二极管电容

25 pF

最大功率耗散

44.6 W

最大反向漏泄电流

250 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

350 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向电压下降

2.6 V

正向连续电流

8 A

电压-DC反向(Vr)(最大值)

600V

电流-平均整流(Io)

8A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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