Datasheet下载- 型号： PZU4.7B3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU4.7B3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU4.7B3,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU4.7B3,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU4.7B3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU4.7B3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU4.7B3,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管，属于二极管 - 齐纳 - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电压稳压 - PZU4.7B3,115 的齐纳电压为 4.7V，适用于低电压稳压电路。它能够将输入电压稳定在 4.7V 左右，确保后级电路的电压稳定，适用于对电压要求较高的场景，例如传感器供电、参考电压生成等。 2. 过压保护 - 在电源或信号线中，该齐纳二极管可以用于防止过压损坏敏感器件。当输入电压超过 4.7V 时，齐纳二极管会导通并分流多余的电流，从而保护后续电路。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中，PZU4.7B3,115 可以用于限制信号幅值，确保信号电平符合特定要求。例如，在模拟信号输入端，它可以将信号限制在安全范围内，避免过高电压导致器件损坏。 4. 基准电压源 - 由于齐纳二极管能够在反向击穿区提供稳定的电压，PZU4.7B3,115 可用作简单且低成本的基准电压源。这种应用常见于简单的运算放大器电路或比较器电路中。 5. 电源监控电路 - 在电池管理系统或电源监控电路中，PZU4.7B3,115 可用于检测电压是否超出设定范围。例如，当电池电压下降到低于齐纳电压时，触发低电压报警。 6. ESD（静电放电）保护 - 在某些情况下，齐纳二极管可以用作初级 ESD 保护元件。PZU4.7B3,115 能够快速响应瞬态高压，将其钳位到安全水平，从而保护敏感电子设备。 7. 音频和通信电路 - 在音频或通信电路中，齐纳二极管可用于限幅或削波功能，防止信号失真或过载。例如，在射频电路中，它可以用来限制输入信号的峰值。 总结 PZU4.7B3,115 适合用于需要低电压稳压、过压保护、信号限幅和基准电压的应用场合。它的小型化封装和高可靠性使其成为消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。在设计时需注意其功率耗散能力（通常为几百毫瓦），以确保不会因过流而损坏。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU4.7B3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU4.7B3,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3917-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU4.7B3 T/R |
| 齐纳电压 | 4.795 V |
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