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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5.5VWM 12VC 6HXSONTVS二极管阵列 High-speed USB OTG ESD protection diode |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PUSBM12VX4-TL,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUSBM12VX4-TL,115 |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | 6-DFN1616(1.6x1.6) |
其它名称 | 568-10918-1 |
击穿电压 | 16 V |
功率-峰值脉冲 | 35W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | - |
双向通道 | 3 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN-6 |
尺寸 | 1.6 mm 1.6 mm 0.5 mm L |
峰值浪涌电流 | 6 A |
峰值脉冲功率耗散 | 100 W |
工作温度 | -30°C ~ 85°C (TA) |
工作电压 | 0.6 V to 1.2 V |
工厂包装数量 | 4000 |
应用 | USB OTG |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 30 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 12.5V |
电压-反向关态(典型值) | 5.5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 12V |
电容 | 100 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A (8/20µs) |
电源线路保护 | 是 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 转向装置(轨至轨) |
通道 | 4 Channels |
钳位电压 | 8 kV |