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  • 型号: PUMZ2,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMZ2,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMZ2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMZ2,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMZ2,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88。您可以下载PUMZ2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMZ2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMZ2,115-

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产品型号

PUMZ2,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-11289-6

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz, 190 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.15 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

PUMZ2 T/R

频率-跃迁

100MHz,190MHz

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