Datasheet下载- 型号： PUMZ1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMZ1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMZ1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMZ1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMZ1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMZ1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMZ1,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列，主要用于以下应用场景： 1. 信号切换与放大 - PUMZ1,115 可用于音频和视频信号的切换与放大。其高增益特性使其适合在低功率信号处理中提供稳定的放大效果。 - 在多路复用器或解复用器中，该器件可以实现信号路径的选择和控制。 2. 逻辑电平转换 - 该 BJT 阵列可用于将低电压逻辑信号转换为更高的驱动电压信号，适用于接口电路设计。 - 常见于微控制器与其他外设之间的通信场景。 3. 驱动应用 - 继电器驱动：PUMZ1,115 能够驱动小型继电器线圈，实现开关功能。 - LED 驱动：可用于驱动单个或多个 LED，支持亮度调节和开关控制。 - 小型电机驱动：能够驱动低功率直流电机或步进电机。 4. 电源管理 - 在低功耗设备中，PUMZ1,115 可用于简单的电源开关或稳压电路。 - 可作为电流限制器的一部分，保护负载免受过流损坏。 5. 传感器接口 - 用于放大来自传感器的弱电信号，例如温度、压力或光敏传感器的输出信号。 - 在工业自动化领域，可用于检测和控制信号的传递。 6. 消费电子 - 应用于遥控器、玩具、家用电器等需要简单信号处理和驱动的场景。 - 在音频设备中，可用于前置放大器或音量控制电路。 7. 汽车电子 - 在汽车内部的小型控制模块中，如指示灯控制、风扇速度调节等。 - 适用于对可靠性要求较高的环境，得益于 Nexperia 的高质量制造工艺。 总结 PUMZ1,115 凭借其紧凑的设计和高性能参数，广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高可靠性的场景。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子领域，这款 BJT 阵列都能提供稳定且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 100mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMZ1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMZ1,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6556-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMZ1 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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