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  • 型号: PUMX1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMX1,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMX1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMX1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMX1,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88。您可以下载PUMX1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMX1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PUMX1,115 是一种晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,主要应用于需要多个双极型晶体管协同工作的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 功率管理
PUMX1,115 常用于功率管理电路中,尤其是在需要高精度电流控制和电压调节的应用中。例如,在电源管理系统中,它可以用于实现高效的开关操作,帮助控制系统中的电压和电流水平,确保设备在不同负载条件下稳定运行。

 2. 信号放大
该器件适用于需要多通道信号放大的场合。由于其阵列结构,PUMX1,115 可以同时处理多个输入信号,并将它们放大到所需的输出水平。这在音频设备、通信系统和其他需要多路信号处理的应用中非常有用。

 3. 电机驱动
在电机驱动应用中,PUMX1,115 可以用于控制电机的速度和方向。通过精确控制电流的流向和强度,它可以实现对电机的高效驱动,特别适合小型直流电机或步进电机的控制。

 4. 保护电路
PUMX1,115 还可以用于设计过流保护、过温保护等安全功能的电路。它能够快速响应异常情况,切断电流路径,防止电路过载或损坏。这种特性使其成为消费电子、工业控制等领域的重要元件。

 5. 模拟开关
在模拟开关应用中,PUMX1,115 可以用作高速切换元件,能够在不同的信号路径之间快速切换,而不会引入显著的延迟或失真。这对于需要频繁切换信号源的设备(如多路复用器)非常有用。

 6. 温度传感器
由于其低噪声特性和稳定性,PUMX1,115 还可以用于温度传感器电路中,特别是在需要高精度测量的环境中。它可以帮助放大微弱的温度变化信号,从而提高传感器的灵敏度和准确性。

总之,PUMX1,115 的多通道设计和高性能使其成为多种复杂电子系统中的关键组件,广泛应用于功率管理、信号处理、电机控制、保护电路等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 40V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMX1,115-

数据手册

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产品型号

PUMX1,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-6555-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120 at 1 mA at 6 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PUMX1 T/R

频率-跃迁

100MHz

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