ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMH30,115
Datasheet下载- 型号： PUMH30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH30,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH30,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMH30,115 是一款双极晶体管 (BJT) 阵列，具有预偏置特性。这款器件的应用场景广泛，特别是在需要高精度、低噪声和稳定性能的电路中表现出色。 1. 音频放大器 PUMH30,115 可用于音频放大器的设计中，尤其是前置放大器部分。由于其预偏置特性，能够确保在不同温度和负载条件下保持稳定的增益和线性度，从而减少失真，提升音质表现。此外，其低噪声特性使得它非常适合用于高端音响设备中，确保声音的纯净度。 2. 传感器信号调理 在工业自动化和物联网（IoT）应用中，传感器信号调理是一个关键环节。PUMH30,115 的高精度和稳定性使其成为传感器信号放大的理想选择。例如，在温度、压力或光传感器中，该器件可以将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平，同时保持信号的完整性。 3. 电源管理 在电源管理系统中，PUMH30,115 可以用于电压调节器或电流源的设计。其预偏置特性有助于提高电源的效率和响应速度，尤其是在需要快速调整输出电压或电流的应用中。此外，它还可以用于保护电路中，防止过流或过压情况的发生。 4. 通信设备 在通信设备中，PUMH30,115 可用于射频（RF）前端模块中的低噪声放大器（LNA）。其低噪声特性和宽频率范围使得它能够在高频段（如 Wi-Fi、蓝牙等）中提供优异的性能，确保信号的清晰传输和接收。 5. 医疗电子 在医疗电子设备中，如心电图机、超声波设备等，PUMH30,115 可用于信号采集和处理电路中。其高精度和稳定性对于确保医疗数据的准确性至关重要，特别是在对微弱生物电信号进行放大时，能够有效避免外界干扰。 总之，PUMH30,115 凭借其预偏置特性、高精度和低噪声优势，适用于多种高性能应用场景，特别是在需要稳定性和可靠性的电路设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH30,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH30,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934059932115 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UMT-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH30 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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